【ChinaDram.com网讯】 韩联社报道，韩国海士力（Hynix）半导体公司近日宣布，该公司成功开发出使用66纳米工艺全球速度最快的1G存储量LP（低能耗）DDR2产品。该公司在06年开发出当时全球速度最快，体积最小的1G存储量移动DDR产品，此次研发的产品是DDR2，与DDR相比，DDR2最主要的改进是在内存模块速度相同的情况下，可以提供相当于DDR内存两倍的带宽。这主要是通过在每个设备上高效率使用两个DRAM核心来实现的。

 

　　作为对比，在每个设备上DDR内存只能够使用一个DRAM核心。技术上讲，DDR2内存上仍然只有一个DRAM核心，但是它可以并行存取，在每次存取中处理4个数据而不是两个数据。

 

　　海士力公司表示，此次开发的LP DDR2产品利用1.2伏电压即可实现800Mbps的数据传输速度，是那些希望实现更快传输数据和移动办公的最佳选择。该内存使用了66纳米工艺，大小仅为9×12毫米，芯片可以实现不同数据处理速度和方式，对不同系统和硬件的适应性非常好。该产品将于今年第四季度开始批量生产。

（责任编辑：ivy）